PD -2.475A
? Reduced RFI and EMI
? Reduced Snubbing
? Extensive Characterization of Recovery Parameters
Features
Description
HEXFRED
TM
diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in high frequency
power conditioning systems. An extensive characterization of the recovery
behavior for different values of current, temperature and di/dt simplifies the
calculations of losses in the operating conditions. The softness of the recovery
eliminates the need for a snubber in most applications. These devices are
ideally suited for power converters, motors drives and other applications where
switching losses are significant portion of the total losses.
Ultrafast, Soft Recovery Diode
HEXFRED
TM
HFA75MB40C
Absolute Maximum Ratings (per Leg)
Note:
Limited by junction temperature
?
L = 100μH, duty cycle limited by max T
J
?
125°C
A
W
°C/W
K/W
Thermal - Mechanical Characteristics
Storage Temperature Range °C-55 to +150
35 (4.0)
–––– 50 (5.7)
ANODE
COMMON
CATHODE
ANODE
2
1
(1-3)
(4-6)
(7-9)
(ISOLATED BASE)
Parameter
Max. Units
VR
Cathode-to-Anode Voltage 400 V
IF
@ T
C
= 25°C Continuous Forward Current 75
IF
@ T
C
= 100°C Continuous Forward Current 36
IFSM
Single Pulse Forward Current
300
IAS
Maximum Single Pulse Avalanche Current ?
5.0
EAS
Non-Repetitive Avalanche Energy ?
1.4 mJ
PD
@ T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation 125
PD
@ T
C
= 100°C
Maximum Power Dissipation 50
TJ
Operating Junction and
TSTG
Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
RθJC
Junction-to-Case, Single Leg Conducting
–––– –––– 1.0
Junction-to-Case, Both Legs Conducting
–––– ––––
0.50
RθCS
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
––––
0.10
––––
Wt Weight
–––– 58 (2.0)
–––– g (oz)
Mounting Torque
lbf?in
(N?m)
D-60
(MODIFIED T0-249AA)
A
5/5/97
VR
= 400V
VF(typ.)?
= 1V
IF(AV)
= 75A
Qrr
(typ.) = 200nC
IRRM(typ.)= 6A
trr(typ.)= 30ns
di(rec)M/dt (typ.)?
= 190A/μs
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